Des chercheurs italiens développent un graphène

Jun 22, 2023

Des chercheurs de l'ISOF-CNR italien, de l'Université de Naples "Federico II" et de l'Université de Modena et Reggio Emilia ont développé de nouveaux transistors FET organiques de type n (OFET) basés sur des feuilles de graphène CVD. Les chercheurs affirment que le nouveau processus et les nouveaux matériaux qu'ils ont utilisés peuvent permettre des OFET flexibles, transparents et à canal court - qui pourraient être utilisés à l'avenir pour les écrans OLED ou OLET (transistor électroluminescent organique).

Pour créer les nouveaux transistors, les chercheurs ont utilisé des couches minces évaporées thermiquement de PDIF-CN2 (un dérivé de pérylène diimide) comme semi-conducteur organique pour le canal actif du transistor avec le graphène CVD monocouche (développé à l'institut italien IIT) comme matériau d'électrode. Les architectures finales des dispositifs ont été fabriquées via Electron-Beam-Lithography (EBL) et Reactive Ion Etching (RIE).

Les chercheurs expliquent que ces nouveaux OFET tirent parti des excellentes propriétés mécaniques, optiques et électriques du graphène. Le graphène comble désormais l'écart avec les matériaux d'électrodes transparents plus couramment utilisés (tels que l'ITO et d'autres alternatives à base de carbone) en termes de résistance de feuille et de transparence.

La prochaine étape pour le groupe de recherche consiste à réaliser des dispositifs haute fréquence et à obtenir un fonctionnement en MHz pour leurs OFET à base de graphène.